三星电子将在美国建立芯片研发中心

据外媒报道，韩国科技巨头三星电子公司在美国成立了研发实体：三星联邦公司(SFI)，并寻求与美国国家研究机构开展半导体方面的合作。

8月20日，来自该企业集团内部的消息人士透露，三星电子最近在其上半年的财报中透露，其美国子公司三星半导体(SSI)已经于今年5月成立了新的研发实体。

SFI与SSI均位于位于加利福尼亚州圣何塞(San Jose)的同一栋大楼内。虽然这份报告没有透露有关SFI职责的具体细节，但从其名称可以看出，它参与了与美国联邦政府、政府机构和相关企业有关的项目。

SFI美国网站上的招聘启事显示，该公司负责管理与SSI为美国联邦政府机构和签约公司开展的人工智能(AI)和高性能计算(HPC)业务相关的项目。

该实体旨在与这些组织合作，设计基于三星世界领先的存储芯片技术的突破性系统，以增强计算能力，提高产品性能和生产效率。该公司还计划开发创新技术，以提高通信带宽，促进基于系统的综合业务。

三星电子决定在美国成立 SFI，反映了人工智能和高性能计算半导体市场正在不断扩大，以及美国政府机构对其日益增长的兴趣。包括国防在内的各个领域对人工智能和高性能计算半导体的需求正在不断增长，因此需要一个专门从事该领域研究的机构。

三星电子一直在积极投资研发，今年上半年支出了近13.8万亿韩元(合103 亿美元)，尽管该公司仅半导体部门就面临8.94万亿韩元的亏损。

今年第二季度，三星电子的研发投资额达到了 7.2 万亿韩元，比去年同期的 6.25 万亿韩元增长了15.2%，创下了该公司有史以来最大的研发投资额。

三星电子表示，此次投资旨在保持其在高性能存储芯片市场上的领先地位，包括DDR5和高带宽 (HBM)内存等高价值产品，并确保该公司在快速增长的人工智能和高性能计算半导体市场上占据主导地位。

三星电子与美国联邦政府的积极合作预计也会对根据美国《芯片和科学法案》所获得的补贴产生积极影响，因为美国政府预计会在补贴的审查过程中考虑企业与包括国防部在内的政府机构的关系。

文章转自“盖世汽车快讯”

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